Temperature dependence of Al0.2Ga0.8As X-ray photodiodes for X-ray spectroscopy
Temperature dependence of Al0.2Ga0.8As X-ray photodiodes for X-ray spectroscopy
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X 射线光谱学中 Al0.2Ga0.8As X 射线光电二极管的温度依赖性
DOI：
10.1063/1.4993914
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发表时间：
2017
影响因子：
3.2
通讯作者：
A. M. Barnett
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Whitaker;S. Butera;G. Lioliou;A. M. Barnett
两个定制的 Al0.2Ga0.8As p+-i-n+ 台面 X 射线光电二极管（直径 200μm，i 层 3μm）已在 −20°C 至 60°C 的温度范围内进行了电特性分析。这些设备连接到定制的电荷敏感前置放大器，以产生 AlGaAs 光子计数 X 射线光谱仪。在-20°C 至 20°C 的温度范围内研究了器件对 55Fe 放射性同位素 X 射线源（Mn Kα= 5.9 keV；Mn Kβ = 6.49 keV）软 X 射线照射的响应。在 20°C 时实现的最佳能量分辨率（5.9keV 时的半高宽）为 1.06keV（探测器处于 10V 反向偏压）。在 0℃ (0.86keV) 和 -20℃ (0.83keV) 温度下，光电二极管反向偏压为 30V 时，观察到器件半高宽有所改善。通过实验测量，平均电子空穴对产生能量在20℃、0℃时为 4.44eV±±0.10eV、0℃时为 4.56eV±±0.10eV −20°C。
Two custom-made Al0.2Ga0.8As p+-i-n+ mesa X-ray photodiodes (200 μm diameter, 3 μm i layer) have been electrically characterised across the temperature range −20 °C to 60 °C. The devices were connected to a custom-made charge sensitive preamplifier to produce an AlGaAs photon-counting X-ray spectrometer. The devices' responses to illumination with soft X-rays from an 55Fe radioisotope X-ray source (Mn Kα = 5.9 keV; Mn Kβ = 6.49 keV) were investigated across the temperature range −20 °C to 20 °C. The best energy resolution (FWHM at 5.9 keV) achieved at 20 °C was 1.06 keV (with the detector at 10 V reverse bias). Improved FWHM was observed with the devices at temperatures of 0 °C (0.86 keV) and −20 °C (0.83 keV) with the photodiode reverse biased at 30 V. The average electron hole pair creation energy was experimentally measured and determined to be 4.43 eV ± 0.09 eV at 20 °C, 4.44 eV ± 0.10 eV at 0 °C, and 4.56 eV ± 0.10 eV at −20 °C.
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影响因子：
3.2
作者：
S. Butera;G. Lioliou;A. Krysa;A. M. Barnett
通讯作者：
S. Butera;G. Lioliou;A. Krysa;A. M. Barnett
DOI：
10.1016/j.nima.2011.06.101
发表时间：
2011-10-21
影响因子：
1.4
作者：
Barnett, A. M.;Lees, J. E.;Gomes, R. B.
通讯作者：
Gomes, R. B.
用于 X 射线和电子（β 粒子）光谱的砷化镓探测器
DOI：
10.1016/j.nima.2016.08.047
发表时间：
2016
期刊：
Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment
影响因子：
--
作者：
Lioliou G
通讯作者：
Lioliou G
影响因子：
3.2
作者：
Lioliou, G.;Meng, X.;Barnett, A. M.
通讯作者：
Barnett, A. M.