An Improved Model of Self-Heating Effects for Ultrathin Body SOI nMOSFETs Based on Phonon Scattering Analysis
An Improved Model of Self-Heating Effects for Ultrathin Body SOI nMOSFETs Based on Phonon Scattering Analysis
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基于声子散射分析的超薄体 SOI nMOSFET 自热效应改进模型
DOI：
10.1109/led.2015.2423323
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发表时间：
2015-04
影响因子：
4.9
通讯作者：
Huibin Tao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Guohe Zhang;Yixi Gu;,Jianxiong Li;Huibin Tao
通过引入声子散射机制，研究了SOI结构的自加热效应。提出了一种考虑热生成和热扩散机制的自热效应改进模型。利用瞬态平面源法从实验数据中提取导热系数参数。利用Sentaurus TCAD数值模拟数据验证了SOI nMOSFET硅层自热效应引起的温度分布。结果表明，当栅与埋氧层之间的硅层厚度减小到低于20 nm时，在模拟自热效应时，应考虑自由电子和束缚电子的声子散射率以及边界反射。
Self-heating effects of ultrathin body silicon-on-insulator (SOI) structure are studied by introducing the phonon scattering mechanisms. An improved model of self-heating effects is present considering the heat generation and the thermal diffusion mechanisms. The thermal conductivity parameters are extracted using transient plane source method from the experiment data. The temperature distributions caused by self-heating effects in the silicon layer of SOI nMOSFETs are verified by the numerical Sentaurus TCAD simulation data. The results show that with the thickness of the silicon layer between the gate and the buried oxide decreasing down to sub-20 nm, the phonon scattering rate of free and bound electrons, and the boundary reflection should be taken into consideration in the modeling of self-heating effects.
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影响因子：
3.1
作者：
D. Vasileska;K. Raleva;S. Goodnick
通讯作者：
D. Vasileska;K. Raleva;S. Goodnick
影响因子：
2.1
作者：
M. Malits;D. Corcos;A. Svetlitza;D. Elad;Y. Nemirovsky
通讯作者：
M. Malits;D. Corcos;A. Svetlitza;D. Elad;Y. Nemirovsky
DOI：
10.1109/irps.2014.6860642
发表时间：
2014-06
期刊：
2014 IEEE International Reliability Physics Symposium
影响因子：
--
作者：
S. E. Liu;J. Wang;Y. Lu;D. Huang;C. Huang;W. Hsieh;J. H. Lee;Y. Tsai;J. Shih;Y. Lee;K. Wu
通讯作者：
S. E. Liu;J. Wang;Y. Lu;D. Huang;C. Huang;W. Hsieh;J. H. Lee;Y. Tsai;J. Shih;Y. Lee;K. Wu
影响因子：
--
作者：
S. Narumanchi;J. Murthy;C. Amon
通讯作者：
S. Narumanchi;J. Murthy;C. Amon
影响因子：
1.6
作者：
J. Ziman
通讯作者：
J. Ziman