Bias current dependence of the spin lifetime in insulating Al0.3Ga0.7As
Bias current dependence of the spin lifetime in insulating Al0.3Ga0.7As
复制标题
绝缘 Al0.3Ga0.7As 中自旋寿命的偏置电流依赖性
DOI：
10.1063/1.4866784
复制
发表时间：
2014-02
影响因子：
4
通讯作者：
S. von Molnar
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
X. Z. Yu;J. H. Zhao;P. Xiong;S. von Molnar
利用三端Hanle效应几何结构研究了绝缘Al_（0.3）Ga_（0.7）As：Si中自旋寿命和Hanle信号幅度与偏置电流的关系。的Hanle信号的幅度是大得多的正向偏置比反向偏置，虽然自旋寿命发现是统计上相等的。自旋电阻-面积积在150 μA以下随反向偏压和小正向偏压的偏置电流的增大而增大，超过150 μA时，自旋电阻-面积积随偏置电流的增大而减小。自旋寿命随着偏置电流的增加而显著减小。在5 ~ 30 K温度范围内，自旋积累和寿命的依赖性只随温度的升高而减弱。
The spin lifetime and Hanle signal amplitude dependence on bias current has been investigated in insulating Al0.3Ga0.7As:Si using a three-terminal Hanle effect geometry. The amplitudes of the Hanle signals are much larger for forward bias than for reverse bias, although the spin lifetimes found are statistically equivalent. The spin resistance-area product shows a strong increase with bias current for reverse bias and small forward bias until 150 μA, beyond which a weak dependence is observed. The spin lifetimes diminish substantially with increasing bias current. The dependence of the spin accumulation and lifetime diminish only moderately with temperature from 5 K to 30 K.
登录
查看更多内容
影响因子：
3.7
作者：
R. I. Dzhioev;K. Kavokin;V. L. Korenev;M. V. Lazarev;B. Meltser;M. Stepanova;B. P. Zakharchenya;
通讯作者：
R. I. Dzhioev;K. Kavokin;V. L. Korenev;M. V. Lazarev;B. Meltser;M. Stepanova;B. P. Zakharchenya;
影响因子：
0.5
作者：
Y. Park;H. Koo;Kyungho Kim;Hyung-jun Kim;S. Han
通讯作者：
Y. Park;H. Koo;Kyungho Kim;Hyung-jun Kim;S. Han
影响因子：
3.7
作者：
Q. Hu;E. Garlid;P. Crowell;C. Palmstrøm
通讯作者：
Q. Hu;E. Garlid;P. Crowell;C. Palmstrøm
影响因子：
4
作者：
J. Misuraca;Joon-Il Kim;Jun Lu;K. Meng;Lin Chen;Xuezhe Yu;Jianhua Zhao;P. Xiong;S. V. Moln'ar-S.-V.-Moln
通讯作者：
J. Misuraca;Joon-Il Kim;Jun Lu;K. Meng;Lin Chen;Xuezhe Yu;Jianhua Zhao;P. Xiong;S. V. Moln'ar-S.-V.-Moln
影响因子：
8.6
作者：
Tran, M.;Jaffres, H.;Lemaitre, A.
通讯作者：
Lemaitre, A.