Temperature dependency of the emission properties from positioned In(Ga)As/GaAs quantum dots
Temperature dependency of the emission properties from positioned In(Ga)As/GaAs quantum dots
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定位 In(Ga)As/GaAs 量子点的发射特性的温度依赖性
DOI：
10.1063/1.4896284
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
1.6
通讯作者：
M. Kamp
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Braun;C. Schneider ;S. Maier;R. Igusa;S. Iwamoto;A. Forchel;S. Höfling;Y. Arakawa;M. Kamp
DOI：
10.1143/jjap.45.2519
发表时间：
2006-04-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS
影响因子：
--
作者：
Atkinson, P;Ward, MB;Ritchie, DA
通讯作者：
Ritchie, DA
InGaAs单量子点激子跃迁的光谱涨落
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
W. Bak;H. Noh;C. Stambaugh;Y. Arakawa;W. Jhe
通讯作者：
W. Jhe
影响因子：
10.8
作者：
Joens, K. D.;Atkinson, P.;Michler, P.
通讯作者：
Michler, P.