Oxygen precipitation in heavily phosphorus-doped silicon wafer annealed at high temperatures
Oxygen precipitation in heavily phosphorus-doped silicon wafer annealed at high temperatures
复制标题
高温退火重掺磷硅片中的氧析出
DOI：
10.1016/j.mseb.2008.12.045
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发表时间：
2009-03
影响因子：
3.6
通讯作者：
Que, Duanlin
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zeng, Yuheng;Yang, Deren;Ma, Xiangyang;Chen, Jiahe;Que, Duanlin
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影响因子：
4
作者：
F. D'aragona;P. Fejes
通讯作者：
F. D'aragona;P. Fejes
影响因子：
--
作者：
W. Shockley;J. Moll
通讯作者：
W. Shockley;J. Moll
影响因子：
1.8
作者：
Voronkov, VV;Falster, R
通讯作者：
Falster, R
影响因子：
3.9
作者：
H. Chiou
通讯作者：
H. Chiou
DOI：
10.1088/0953-8984/12/25/201
发表时间：
2000-06
期刊：
Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子：
--
作者：
R. Newman
通讯作者：
R. Newman