Growth of In0.25Ga0.75As quantum dots on GaP utilizing a GaAs interlayer
Growth of In0.25Ga0.75As quantum dots on GaP utilizing a GaAs interlayer
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利用 GaAs 中间层在 GaP 上生长 In0 25Ga0 75As 量子点
DOI：
10.1063/1.4768294
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发表时间：
2012
影响因子：
4
通讯作者：
D. Bimberg
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
G. Stracke;A. Glacki;T. Nowozin;L. Bonato;S. Rodt;C. Prohl;H. Eisele;A. Schliwa;A. Strittmatter;U.W. Pohl;D. Bimberg
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GaAs 基质中 In0.1Ga0.9As 层过度生长的 In0.8Ga0.2As 量子点的反转截锥成分分布
影响因子：
4
作者：
A. Lenz;R. Timm;H. Eisele;C. Hennig;S. K. Becker;R. Sellin;U. W. Pohl;D. Bimberg;M. Dähne
通讯作者：
M. Dähne
GaSb/GaAs(001)量子点生长中二维到三维转变的临界厚度
影响因子：
1.8
作者：
H. Eisele;M. Dähne
通讯作者：
M. Dähne
GaP 上 OMVPE 生长中 InGaAs 的生长模式转变 (001)
影响因子：
2.3
作者：
H. Moriya;Y. Nonogaki;S. Fuchi;A. Koizumi;Y. Fujiwara;Y. Takeda
通讯作者：
Y. Takeda
高密度(In,Ga)As/GaP量子点的室温光致发光
影响因子：
4
作者：
T. N. Thanh;C. Robert;C. Cornet;M. Perrin;J. Jancu;N. Bertru;J. Even;N. Chevalier;H. Folliot;O. Durand;A. Corre
通讯作者：
A. Corre
基于第一性原理建模的高应变 InAs 材料的理论研究：应用于理想量子点
DOI：
10.1088/0022-3727/41/16/165505
发表时间：
2008
期刊：
Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子：
--
作者：
L. Pédesseau;J. Even;A. Bondi;W. Guo;S. Richard;H. Folliot;C. Labbé;C. Cornet;O. Dehaese;A. Le Corre;O. Durand;S. Loualiche
通讯作者：
S. Loualiche