A High Quantum Efficiency Narrow-Band UV-B AlGaN p-i-n Photodiode With Polarization Assistance
A High Quantum Efficiency Narrow-Band UV-B AlGaN p-i-n Photodiode With Polarization Assistance
复制标题
具有偏振辅助功能的高量子效率窄带 UV-B AlGaN p-i-n 光电二极管
DOI：
10.1109/jphot.2021.3086855
复制
发表时间：
2021-06
影响因子：
2.4
通讯作者：
Zheng Youdou
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hou Qianyu;You Haifan;Cai Qing;Guo Hui;Shao Pengfei;Pan Danfeng;Yu Le;Chen Dunjun;Lu Hai;Zhang Rong;Zheng Youdou
通过优化AlGaN层的Al组分和厚度，设计并制备了半高全宽(FWHM)为8 nm的窄带UV-B AlGaN p-i-n光电二极管(PDs)。为了改善窄带PD的光电响应，一种
We designed and fabricated narrow-band UV-B AlGaN p-i-n photodiodes (PDs) with a full-width at half-maximum (FWHM) of 8 nm by optimizing the Al composition and thickness of the AlGaN layers. To improve the photoelectric response of the narrow-band PDs, a
登录
查看更多内容
DOI：
10.1557/s1092578300002957
发表时间：
1999
期刊：
Mrs Internet Journal of Nitride Semiconductor Research
影响因子：
--
作者：
J. Muth;J. Brown;Mark L. Johnson;Z. Yu;R. Kolbas;J. Cook;J. Schetzina
通讯作者：
J. Muth;J. Brown;Mark L. Johnson;Z. Yu;R. Kolbas;J. Cook;J. Schetzina
影响因子：
4
作者：
Collins, CJ;Chowdhury, U;Campbell, JC
通讯作者：
Campbell, JC
影响因子：
4
作者：
C. Collins;T. Li;A. Beck;R. Dupuis;J. Campbell;J. Carrano;M. Schurman;I. Ferguson
通讯作者：
C. Collins;T. Li;A. Beck;R. Dupuis;J. Campbell;J. Carrano;M. Schurman;I. Ferguson
影响因子：
0.7
作者：
S. Averin;P. Kuznetsov;V. Zhitov;N. Alkeev;V. Kotov;A. A. Dorofeev-A.;N. Gladysheva
通讯作者：
S. Averin;P. Kuznetsov;V. Zhitov;N. Alkeev;V. Kotov;A. A. Dorofeev-A.;N. Gladysheva
影响因子：
4
作者：
D. Lambert;M. M. Wong-M.;U. Chowdhury;C. Collins;T. Li;H. Kwon;B. Shelton;T. Zhu;J. Campbell-
通讯作者：
D. Lambert;M. M. Wong-M.;U. Chowdhury;C. Collins;T. Li;H. Kwon;B. Shelton;T. Zhu;J. Campbell-