Exciton dephasing in strain-compensated self-assembled InAs quantum dots
Exciton dephasing in strain-compensated self-assembled InAs quantum dots
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应变补偿自组装 InAs 量子点中的激子相移
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J.Ishi-Hayase
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Masahiko Hayashi;Hiromichi Ebisawa;J.Ishi-Hayase
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GaN 作为 InAs 量子点 1.55 µm 光发射的应变补偿层
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T. Yajima;Y. Taira
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通讯作者：
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DOI：
10.1109/iciprm.2004.1442617
发表时间：
2004
期刊：
16th IPRM. 2004 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 2004.
影响因子：
--
作者：
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通讯作者：
N. Ohtani