Dislocation-induced composition profile in alloy semiconductors
Dislocation-induced composition profile in alloy semiconductors
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合金半导体中位错引起的成分分布
DOI：
10.1016/j.ssc.2010.05.023
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发表时间：
2010-08
影响因子：
2.1
通讯作者：
Wang, S. M.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ye, H.;Lu, P. F.;Yu, Z. Y.;Wang, D. L.;Chen, Z. H.;Liu, Y. M.;Wang, S. M.
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影响因子：
10.8
作者：
H. Ye;P. Lu;Zhongyuan Yu;Yuxin Song;Donglin Wang;Shumin Wang
通讯作者：
H. Ye;P. Lu;Zhongyuan Yu;Yuxin Song;Donglin Wang;Shumin Wang
影响因子：
3.2
作者：
A. Subramaniam
通讯作者：
A. Subramaniam
影响因子：
3.2
作者：
J. H. You;Junqiang Lu;H. Johnson
通讯作者：
J. H. You;Junqiang Lu;H. Johnson
影响因子：
1.7
作者：
Liu Yu-min;Yu Zhong-Yuan;Ren Xiaomin;Xu Zi-Ruan
通讯作者：
Liu Yu-min;Yu Zhong-Yuan;Ren Xiaomin;Xu Zi-Ruan
DOI：
10.1016/0502-8205(49)90004-0
发表时间：
1949-01-01
期刊：
PROGRESS IN METAL PHYSICS
影响因子：
--
作者：
COTTRELL, AH
通讯作者：
COTTRELL, AH