The refractive nonlinearities of InAs/GaAs quantum dots above-bandgap energy
The refractive nonlinearities of InAs/GaAs quantum dots above-bandgap energy
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InAs/GaAs量子点带隙能量以上的折射非线性
DOI：
10.1016/j.optcom.2009.12.002
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发表时间：
2010-04
影响因子：
2.4
通讯作者：
Niu, Z. C.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Huang, X.;Zhang, X. H.;Zhu, Y. G.;Li, T.;Han, L. F.;Shang, X. J.;Ni, H. Q.;Niu, Z. C.
使用反射Z扫描技术在高于带隙能量下测量了分子束外延生长的InAs/GaAs量子点的三阶光学非线性折射特性。测定了 InAs/GaAs 量子点在 740 至 777 nm 波长范围内的非线性折射率和非线性吸收指数。测量结果与几种典型III-V族半导体材料的非线性折射响应进行了比较。讨论了导致大非线性响应的相应机制。
The third-order optical nonlinear refractive properties of InAs/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy have been measured using the reflection Z-scan technique at above-bandgap energy. The nonlinear refractive index and nonlinear absorption index of the InAs/GaAs quantum dots were determined for wavelengths from 740 to 777nm. The measured results are compared with the nonlinear refractive response of several typical III–V group semiconductor materials. The corresponding mechanisms responsible for the large nonlinear response are discussed.
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DOI：
10.1007/978-3-642-18865-7
发表时间：
2003-11
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
O. Madelung
通讯作者：
O. Madelung
影响因子：
4
作者：
M. Martinelli;S. Bian;J. Leite;R. Horowicz
通讯作者：
M. Martinelli;S. Bian;J. Leite;R. Horowicz
影响因子：
4
作者：
Kihong Kim;Ju-Il Song;D. Kwon;G. Lee
通讯作者：
Kihong Kim;Ju-Il Song;D. Kwon;G. Lee
影响因子：
3
作者：
R. Liu;Yong-chun Shu;Guan-jie Zhang;Jiamin Sun;X. Xing;B. Pi;J. Yao;Zhan-guo Wang;Jingjun Xu
通讯作者：
R. Liu;Yong-chun Shu;Guan-jie Zhang;Jiamin Sun;X. Xing;B. Pi;J. Yao;Zhan-guo Wang;Jingjun Xu
影响因子：
2.6
作者：
A. Lagatsky;E. Rafailov;W. Sibbett;D. Livshits;A. Zhukov;V. Ustinov
通讯作者：
A. Lagatsky;E. Rafailov;W. Sibbett;D. Livshits;A. Zhukov;V. Ustinov