Diffrent Evolution of Intrinsic Gap in Strongly Correlated SmB6 and YbB12
Diffrent Evolution of Intrinsic Gap in Strongly Correlated SmB6 and YbB12
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强相关 SmB6 和 YbB12 中本征能隙的不同演化
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and S. Suga
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Yamaguchi;A. Sekiyama;T. Balashov;W. Wulfhekel;T. Ito;S. Kimura;A. Higashiya,S. Yeo;S.-I. Lee;F. Iga;T. Takabatake;and S. Suga
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硬X射线光电子能谱研究Yb 1-x Lu x B 12 中的近藤晶格效应和晶格相干性崩溃
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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作者：
J. Yamaguchi;A. Sekiyama;S. Imada;H. Fujiwara;M. Yano;T. Miyamachi;G. Funabashi;M. Obara;A. Higashiya;K. Tamasaku;M. Yabashi;T. Ishikawa;F. Iga;T. Takabatake;S. Suga
通讯作者：
S. Suga
中间价 SmB6 的基态形成
影响因子：
2.8
作者：
K. Flachbart;S. Gabáni;E. Konovalova;Y. Paderno;V. Pavlik
通讯作者：
V. Pavlik
近藤绝缘 YbB12 中短程反铁磁涨落的证据
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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作者：
J. Mignot;P. Alekseev;K. Nemkovski;L. Regnault;F. Iga;T. S. L. L. Brillouin;CEA;Saclay;France.;Russian Research CenterKurchatov Institute;Moscow;Russia.;Drfmcspsms;Cea;Grenoble;AdSM;H. University;Japan.
通讯作者：
Japan.
Yb1-xLuxB12 的光导率：稀释近藤半导体中的能隙和中红外峰
DOI：
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发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
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作者：
H. Okamura;M. Matsunami;T. Inaoka;T. Nanba;S. Kimura;F. Iga;S. Hiura;J. Klijn;T. Takabatake
通讯作者：
T. Takabatake
La掺杂近藤绝缘体Ce 3 Bi 4 Pt 3 中的近藤空穴传导
影响因子：
3.7
作者：
T. Pietrus;H. Löhneysen;P. Schlottmann
通讯作者：
P. Schlottmann