Effect of sputtering power and annealing temperature on the properties of indium tin oxide thin films prepared from radio frequency sputtering using powder target
Effect of sputtering power and annealing temperature on the properties of indium tin oxide thin films prepared from radio frequency sputtering using powder target
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溅射功率和退火温度对粉末靶射频溅射制备氧化铟锡薄膜性能的影响
DOI：
10.1007/s10854-013-1298-8
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发表时间：
2013-05
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
徐华蕊
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
杨祖培;杨祖培;徐华蕊;徐华蕊
以粉末靶材为靶材，采用射频溅射方法在石英衬底上制备了不同射频功率(100~250W)的ITO薄膜。溅射功率对薄膜的结构、电学和操作性能的影响
Indium tin oxide (ITO) thin films were deposited on quartz substrates by radio frequency (RF) sputtering with different RF power (100–250 W) using the powder target at room temperature. The effect of sputtering power on their structural, electrical and op
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DOI：
10.1016/j.mseb.2006.08.058
发表时间：
2007-01
影响因子：
3.6
作者：
A. Gheidari;F. Behafarid;G. Kavei;M. Kazemzad
通讯作者：
A. Gheidari;F. Behafarid;G. Kavei;M. Kazemzad
影响因子：
2.1
作者：
C. Trejo-Cruz;A. Mendoza-Galván;A. López-Beltrán;M. Gracia-Jiménez
通讯作者：
C. Trejo-Cruz;A. Mendoza-Galván;A. López-Beltrán;M. Gracia-Jiménez
影响因子：
2.1
作者：
G. Zhu;L. Zhi;Huijuan Yang;Hua-rui Xu;A. Yu
通讯作者：
G. Zhu;L. Zhi;Huijuan Yang;Hua-rui Xu;A. Yu
影响因子：
3.4
作者：
Tuna, Ocal;Selamet, Yusuf;Ozyuzer, Lutfi
通讯作者：
Ozyuzer, Lutfi
影响因子：
3.4
作者：
Kerkache, L;Layadi, A;Rémiens, D
通讯作者：
Rémiens, D