Enhanced lateral growth of AlN epitaxial layer on sapphire by introducing periodically pulsed-TMGa flows
Enhanced lateral growth of AlN epitaxial layer on sapphire by introducing periodically pulsed-TMGa flows
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通过引入周期性脉冲TMGa流增强蓝宝石上AlN外延层的横向生长
DOI：
10.1016/j.spmi.2019.05.034
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发表时间：
2019-07
影响因子：
3.1
通讯作者：
Jiang Hao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Qiu Xinjia;Lv Zesheng;He Yingyou;Wu Zhisheng;Jiang Hao
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通讯作者：
Shen B
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1.8
作者：
Uchida, Takeshi;Kusakabe, Kazuhide;Ohkawa, Kazuhiro
通讯作者：
Ohkawa, Kazuhiro
DOI：
10.1143/jjap.46.1458
发表时间：
2007-04-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS
影响因子：
--
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通讯作者：
Bandoh, Akira
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作者：
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Xu Zheng;Y. Wang;Z. Feng;H. Yang;H. Chen;J. Zhou;J. W. Liang
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作者：
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通讯作者：
PACK, JD