Influence of water vapor on the electronic property of MoS2 field effect transistors
Influence of water vapor on the electronic property of MoS2 field effect transistors
复制标题
水蒸气对MoS2场效应晶体管电子性能的影响
DOI：
10.1088/1361-6528/aa642d
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发表时间：
2017-04
期刊：
影响因子：
3.5
通讯作者：
Qing Chen
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jiapei Shu;Gongtao Wu;Song Gao;Bo Liu;Xianlong Wei;Qing Chen
The influence of water vapor on the electronic property of MoS2 field effect transistors (FETs) is studied through controlled experiments. We fabricate supported and suspended FETs on the same piece of MoS2 to figure out the role of SiO2 substrate on the
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