Pore Filling Macropores Prepared in p-type Silicon by Copper Deposition
Pore Filling Macropores Prepared in p-type Silicon by Copper Deposition
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铜沉积法在p型硅中制备孔隙填充大孔
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.H.Ogata
中科院分区：
文献类型：
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作者：
F.A.Farid;K.Kamada;J.Sasano;S.Izuo;T.Sakka;Y.H.Ogata
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p型多晶硅和太阳能电池上大孔的形成
DOI：
10.1002/pssa.200306463
发表时间：
2003
期刊：
Physica Status Solidi (a)
影响因子：
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作者：
C. Lévy‐Clément;S. Lust;S. Bastide;Q. N. Le;D. Sarti
通讯作者：
D. Sarti
酸性和碱性氟化物介质中多孔硅浸镀镍的不同行为
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
Journal of The Electrochemical Society 150
影响因子：
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作者：
F.A.Harraz;J.Sasano;T.Sakka;Y.H.Ogata
通讯作者：
Y.H.Ogata
p 型硅中随机和有序大孔的形成
影响因子：
3.9
作者：
A. Vyatkin;V. Starkov;V. Tzeitlin;H. Presting;J. Konle;U. Konig
通讯作者：
U. Konig
用于碳氢化合物传感器制造的渗透多孔硅
影响因子：
4.6
作者：
R. Angelucci;A. Poggi;L. Dori;G. Cardinali;A. Parisini;A. Tagliani;M. Mariasaldi;F. Cavani
通讯作者：
F. Cavani
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
Journal of Electroanalytical Chemistry 559
影响因子：
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作者：
J.Sasano;R.Murota;Y.Yamauchi;T.Sakka;Y.H.Ogata
通讯作者：
Y.H.Ogata