Ion-beam induced atomic mixing in isotopically controlled silicon multilayers

Ion-beam induced atomic mixing in isotopically controlled silicon multilayers
复制标题

同位素控制硅多层中的离子束诱导原子混合

DOI:
10.1063/1.4967317
复制
发表时间:
2016
影响因子:
3.2
通讯作者:
M. Posselt
M. Posselt
中科院分区:
物理与天体物理3区
文献类型:
--
作者:
M. Radek;H. Bracht;B. LiedkeR. Böttger;M. Posselt

文献摘要

参考文献

被引文献

相似文献

硅中范围末端缺陷的奥斯特瓦尔德成熟
DOI: --
发表时间: 1998
期刊:
影响因子: --
作者:
C. Bonafos;D. Mathiot;A. Claverie
通讯作者: A. Claverie
晶体和非晶锗同位素多层结构中离子束混合的温度依赖性
DOI: 10.1063/1.4861174
发表时间: 2014
影响因子: 3.2
作者:
M. Radek;H. Bracht;M. Posselt;B. Liedke;B. Schmidt;D. Bougeard
通讯作者: D. Bougeard
DOI: --
发表时间: 2015
期刊:
影响因子: --
作者:
Y. Yoshida;G. Langouche
通讯作者: G. Langouche
预非晶化 Ge 中自填隙介导的 B 瞬时增强扩散
DOI: --
发表时间: 2010
期刊:
影响因子: --
作者:
E. Napolitani;G. Bisognin;E. Bruno;M. Mastromatteo;G. Scapellato;S. Boninelli;D. Salvador;S. Mirabella;C. Spinella;A. Carnera;F. Priolo
通讯作者: F. Priolo
DOI: --
发表时间: 1985
影响因子: 8.6
作者:
Williams;Elliman;Brown;Seidel
通讯作者: Seidel