Temperature dependence of the avalanche multiplication process and the impact ionization coefficients in Al0.8Ga0.2As
Temperature dependence of the avalanche multiplication process and the impact ionization coefficients in Al0.8Ga0.2As
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Al0.8Ga0.2As 中雪崩倍增过程和碰撞电离系数的温度依赖性
DOI：
10.1016/j.nima.2010.11.114
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Barnett A
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Barnett A
在+80 °C至−20°C温度范围内，研究了Al0.8Ga0.2As雪崩光电二极管（APD）在软X射线能量下雪崩倍增过程的温度依赖性。实验测量了纯电子引发雪崩倍增因子（Me）和混合载流子引发雪崩倍增因子（Mmix）的温度依赖性。实验结果进行了比较与光谱Monte Carlo模型的Al 0.8Ga 0.2As二极管的纯空穴引发的倍增因子（Mh）的温度依赖性的确定。首次报道了Al_（0.8）Ga_（0.2）As中电子和空穴电离系数随温度的变化关系。
The temperature dependence of the avalanche multiplication process at soft X-ray energies in Al0.8Ga0.2As avalanche photodiodes (APDs) is investigated at temperatures from +80 to −20°C. The temperature dependence of the pure electron initiated multiplication factor (Me) and the mixed carrier initiated avalanche multiplication factor (Mmix) is experimentally measured. The experimental results are compared with a spectroscopic Monte Carlo model for Al0.8Ga0.2As diodes from which the temperature dependence of the pure hole initiated multiplication factor (Mh) is determined. The temperature dependences of the electron and hole ionization coefficients in Al0.8Ga0.2As are reported for the first time.
用于 X 射线光谱分析的 AlGaAs 二极管
DOI：
10.1016/j.nima.2008.06.038
发表时间：
2008
影响因子：
1.4
作者：
J. Lees;D. Bassford;J. Ng;C. Tan;J. David
通讯作者：
J. David
Al/sub x/Ga/sub 1-x/As 中的雪崩倍增（x=0 至 0.60）
DOI：
--
发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Plimmer;J. David;R. Grey;G. Rees
通讯作者：
G. Rees
Al/sub 0.8/Ga/sub 0.2/As 二极管的雪崩倍增特性
DOI：
--
发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
--
作者：
B. K. Ng;J. David;S. Plimmer;G. Rees;R. C. Tozer;M. Hopkinson;G. Hill
通讯作者：
G. Hill