High performance CSTBT with p-type buried layer
High performance CSTBT with p-type buried layer
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具有 p 型埋层的高性能 CSTBT
DOI：
10.1049/el.2012.0220
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发表时间：
2012-04
影响因子：
1.1
通讯作者：
Z.Li
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
J.Zhang;Z.Li;B.Zhang;Z.Li
A novel high performance carrier stored trench bipolar transistor (CSTBT) with a p-type buried layer (PBL-CSTBT) is proposed. The p-type layer of the structure is formed by ion implantation at the bottom of the trench after a partial etching of the P base /N cs layer and the fabrication process is fully compatible with the conventional CSTBT (C-CSTBT) structure. In comparison with the C-CSTBT without a buried layer, the novel structure offers not only high breakdown voltage, but also improved E off -V ce(on) trade-off characteristics.
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DOI：
10.1109/tia.2003.814547
发表时间：
2002-12
期刊：
Conference Record of the 2002 IEEE Industry Applications Conference. 37th IAS Annual Meeting (Cat. No.02CH37344)
影响因子：
--
作者：
X. Kang;A. Caiafa;E. Santi;J. Hudgins;P. Palmer
通讯作者：
X. Kang;A. Caiafa;E. Santi;J. Hudgins;P. Palmer
DOI：
10.1109/ispsd.2008.4538900
发表时间：
2008-05
期刊：
2008 20th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's
影响因子：
--
作者：
T. Takahashi;Y. Tomomatsu;K. Sato
通讯作者：
T. Takahashi;Y. Tomomatsu;K. Sato
影响因子：
3.1
作者：
M. Mori;K. Oyama;Yasuhiko Kohno;J. Sakano;J. Uruno;K. Ishizaka;Daisuke Kawase
通讯作者：
M. Mori;K. Oyama;Yasuhiko Kohno;J. Sakano;J. Uruno;K. Ishizaka;Daisuke Kawase
DOI：
10.1109/ispsd.2011.5890792
发表时间：
2011-05
期刊：
2011 IEEE 23rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
影响因子：
--
作者：
Y. Haraguchi;S. Honda;Kazunari Nakata;A. Narazaki;Y. Terasaki
通讯作者：
Y. Haraguchi;S. Honda;Kazunari Nakata;A. Narazaki;Y. Terasaki