Hard X‐ray photoelectron spectroscopy study of core level shifts at buried GaP/Si(001) interfaces
Hard X‐ray photoelectron spectroscopy study of core level shifts at buried GaP/Si(001) interfaces
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埋藏 GaP/Si(001) 界面处核心能级位移的硬 Xâ 射线光电子能谱研究
DOI：
10.1002/sia.6829
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发表时间：
2020
影响因子：
1.7
通讯作者：
et.al.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
O. Romanyuk;et.al.
用硬X射线光电子能谱研究了埋层GaP/Si(001)异质界面。用金属有机气相外延技术在2°错切取向的Si(001)衬底上生长了均匀的GaP薄膜(4-50 nm)。在异质结和相应的参考(体相)衬底上测量了芯能级光电子强度和价带光谱。对核心能级峰值的详细分析揭示了谱线加宽和能量漂移。计算了不同厚度薄膜的价带偏移量。根据观察到的价带偏移量随GaP膜厚度的变化和谱线展宽的实验证据，提出了GaP/Si(001)界面电荷位移的存在。
We present a study of buried GaP/Si(001) heterointerfaces by hard X‐ray photoelectron spectroscopy. Well‐defined thin (4–50 nm) GaP films were grown on Si(001) substrates with 2° miscut orientations by metalorganic vapor phase epitaxy. Core level photoelectron intensities and valence band spectra were measured on heterostructures as well as on the corresponding reference (bulk) substrates. Detailed analysis of core level peaks revealed line broadening and energetic shifts. Valence band offsets were derived for the films with different thickness. Based on the observed variation of the valence band offsets with the GaP film thickness and on the experimental evidence of line broadening, the existence of charge displacement at the GaP/Si(001) interface is suggested.
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