Detailed analysis of electrical components on SOI wafer with an ac pseudo-MOS method,
Detailed analysis of electrical components on SOI wafer with an ac pseudo-MOS method,
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采用交流伪 MOS 方法对 SOI 晶圆上的电气元件进行详细分析，
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and S. Sato
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Yuan;and S. Sato
自然氧化物对赝Mos结构电容电压特性的影响
DOI：
10.1149/07711.1887ecst
发表时间：
2017
期刊：
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影响因子：
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作者：
Isao Yarita;Shingo Sato;Y. Omura
通讯作者：
Y. Omura
接触和沟道电阻对伪 MOSFET 频率相关电容和电导的影响
影响因子：
1.7
作者：
Shingo Sato;G. Ghibaudo;L. Benea;I. Ionica;Y. Omura;S. Cristoloveanu
通讯作者：
S. Cristoloveanu
接触条件和岛边缘对双配置开尔文伪 MOSFET 方法的详细影响
影响因子：
3.1
作者：
Mori Daigo;Nakata Iori;Matsuda Masayoshi;Sato Shingo
通讯作者：
Sato Shingo