Modification of Local Structure and Its Influence on Electrical Activity of Near (310) Σ5 Grain Boundary in Bulk Silicon
Modification of Local Structure and Its Influence on Electrical Activity of Near (310) Σ5 Grain Boundary in Bulk Silicon
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块体硅中近(310)Σ5晶界局域结构的修饰及其对电活动的影响
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kentaro Kutsukake
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hasegawa H.;Jiang X.;Tada R.;長谷川 精;長谷川 精;長谷川 精;長谷川 精;沓掛 健太朗;Kentaro Kutsukake
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