Experimental Progress towards Probing the Ground State of an Electron-Hole Bilayer by Low-Temperature Transport
Experimental Progress towards Probing the Ground State of an Electron-Hole Bilayer by Low-Temperature Transport
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低温输运探测电子-空穴双层基态的实验进展
DOI：
10.1155/2011/727958
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发表时间：
2011
影响因子：
1.5
通讯作者：
Das Gupta K
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Das Gupta K
近年来，已有可能设计出独立接触的电子-空穴双层膜(EHBL)，每层载流子密度为5×1010cm2，在GaAs/AlGaAs系统中的间距为10-20 nm。在这些EHBL中，层间相互作用可能比层内相互作用更强。理论工作表明，EHBL中可能存在由激子超流相、电荷密度波和Wigner晶体组成的非常丰富的相图。实验表明，空穴层上的库仑阻力与费米液体在低温下的a~T2行为有很大的非单调偏离。同时，尽管电子迁移率在 ~106cm2V−1s−1以上，空穴迁移率在~105 cm2V−1s−1以上，单层电阻中也出现了意想不到的绝缘行为(在kF1和gt；500的高度“金属”区)。实验数据还表明，等密度点(n=p)并不特殊。
Recently, it has been possible to design independently contacted electron‐hole bilayers (EHBLs) with carrier densities <5 × 1010cm2in each layer and a separation of 10–20 nm in a GaAs/AlGaAs system. In these EHBLs, the interlayer interaction can be stronger than the intralayer interactions. Theoretical works have indicated the possibility of a very rich phase diagram in EHBLs consisting of excitonic superfluid phases, charge density waves, and Wigner crystals. Experiments have revealed that the Coulomb drag on the hole layer shows strong nonmonotonic deviations from a~T2behaviour expected for Fermi‐liquids at low temperatures. Simultaneously, an unexpected insulating behaviour in the single‐layer resistances (at a highly “metallic” regime withkFl> 500) also appears in both layers despite electron mobilities of above ~106cm2V−1s−1and hole mobilities over ~105cm2V−1s−1. Experimental data also indicates that the point of equal densities (n=p) is not special.
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