Orientation control of phase transition and ferroelectricity in Al-doped HfO2 thin films
Orientation control of phase transition and ferroelectricity in Al-doped HfO2 thin films
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Al掺杂HfO2薄膜中相变和铁电性的取向控制
DOI：
10.1016/j.matchar.2021.111114
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发表时间：
2021-06
影响因子：
4.7
通讯作者：
Dai Jiyan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yau Hei Man;Chen Xinxin;Wong Chi Man;Chen Deyang;Dai Jiyan
二元铁电材料如氧化铪已被深入研究，有望在纳米尺度下表现出与钙钛矿基铁电体相当的鲁棒铁电性。在这里，我们利用X射线衍射（XRD）和透射电子显微镜（TEM）相结合的方法，揭示了具有不同相结构的Al掺杂HfO 2在不同取向的SrTiO 3衬底上的外延生长。压电响应力显微镜（PFM）显示出不同的取向膜的铁电性。在（111）SrTiO 3衬底上生长的薄膜具有最大的机电效应。通过对结构特征的分析，证实了Al掺杂HfO2薄膜的相变和铁电性的取向控制。
Binary ferroelectric materials such as hafnium oxide have been intensively studied, which are expected to exhibit robust ferroelectricity comparable to the perovskite-based ferroelectrics at nanoscale. Here, using the combination of X-ray diffraction (XRD) associate with Transmission Electron Microscope (TEM), we reveal the epitaxial growth of Al-doped HfO2possessing various phase structures on different oriented SrTiO3substrates. The well-oriented films show different ferroelectricity indicated by piezoresponse force microscopy (PFM). The film grown on the (111) SrTiO3substrate shows the largest electromechanical effect. These results, with the analyses of structural characterizations, demonstrate the orientation control of phase transitions and ferroelectricity in Al-doped HfO2thin films.
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DOI：
10.1111/j.1151-2916.1970.tb12052.x
发表时间：
1970-03
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
R. Ruh;Peter W. R. Corfield
通讯作者：
R. Ruh;Peter W. R. Corfield
影响因子：
--
作者：
Liou JC;Diao CC;Lin JJ;Chen YL;Yang CF
通讯作者：
Yang CF
影响因子：
1.5
作者：
Dao Wang;Jiali Wang;Qiang Li;Waner He;M. Guo;A. Zhang;Z. Fan;Deyang Chen;M. Qin;M. Zen
通讯作者：
Dao Wang;Jiali Wang;Qiang Li;Waner He;M. Guo;A. Zhang;Z. Fan;Deyang Chen;M. Qin;M. Zen
影响因子：
20.6
作者：
Wong, H. -S. Philip;Lee, Heng-Yuan;Tsai, Ming-Jinn
通讯作者：
Tsai, Ming-Jinn
影响因子：
4
作者：
Polakowski, Patrick;Mueller, Johannes
通讯作者：
Mueller, Johannes