Room-temperature plasma doping without bias power for introduction of Fe, Au, Al, Ga, Sn and In into Si
Room-temperature plasma doping without bias power for introduction of Fe, Au, Al, Ga, Sn and In into Si
复制标题
无偏置功率的室温等离子体掺杂将 Fe、Au、Al、Ga、Sn 和 In 引入 Si 中
DOI：
10.1007/s00339-016-0477-x
复制
发表时间：
2016-11
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
G.G.Qin
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ruixiang Hou;Ziang Xie;Lei Li;Xixi Xie;Xiaolong Xu;Xin Fang;Li Tao;Wanjing Xu;Nongnong Ma;Youqin He;Xiao Chen;Shixiang Peng;Engang Fu;Zhigang Yuan;G.G.Qin
利用二次离子质谱技术研究了室温下射频等离子体中Fe、Au、Al、Ga、Sn和In等杂质在硅晶片中的掺杂。该工艺被称为无偏压等离子体掺杂（PDWOB）。在PDWOB中，掺杂到Si晶片中的杂质的量和深度取决于杂质的特性、激发等离子体的RF功率和PDWOB的处理时间。互补误差函数分布与Si中掺杂浓度分布的实验数据拟合良好，表明PDWOB是由空位激发的杂质在Si中的室温扩散和等离子体诱导的Si自发光共同作用的结果。重点介绍了PDWOB在掺杂超薄膜、超浅结和二维材料等方面的应用前景。
It is demonstrated by use of secondary ion mass spectroscopy that some impurities, including Fe, Au, Al, Ga, Sn and In, can be doped into Si wafers with depths of tens nanometer but quite high densities in radio frequency (RF)-excited plasma without any bias power at room temperature. This process is referred to as plasma doping without bias (PDWOB). In PDWOB, the quantity and depth of an impurity doped into the Si wafer depend on the character of the impurity, power of the RF that excites the plasma and the processing time of the PDWOB. The good fitting of the complementary error function distribution with the experimental data of the concentration distributions of the impurities doped into Si wafers indicates that PDWOB is a result of room-temperature diffusion of impurities in Si stimulated by vacancies and Si self-interstitials induced by plasma. The application prospects of the PDWOB, including doping ultra-thin films, ultra-shallow junctions and two-dimensional materials, are emphasized.
登录
查看更多内容
DOI：
10.1007/bf00617863
发表时间：
1985-05
期刊：
Applied Physics A
影响因子：
--
作者：
Teh Y. Tan;U. Gösele
通讯作者：
Teh Y. Tan;U. Gösele
影响因子：
2.2
作者：
D. Northrop
通讯作者：
D. Northrop
影响因子：
3.2
作者：
A. Larsen;C. Christensen;J. W. Petersen
通讯作者：
A. Larsen;C. Christensen;J. W. Petersen
DOI：
10.4028/www.scientific.net/ssp.69-70.235
发表时间：
1999-08
期刊：
Solid State Phenomena
影响因子：
--
作者：
R. Kögler;A. Peeva;W. Anwand;P. Werner;A. Danilin;W. Skorupa
通讯作者：
R. Kögler;A. Peeva;W. Anwand;P. Werner;A. Danilin;W. Skorupa
影响因子：
5.4
作者：
Johns, SM;Bell, T;Collins, GA
通讯作者：
Collins, GA