Quantum photonics in triangular-cross-section nanodevices in silicon carbide
Quantum photonics in triangular-cross-section nanodevices in silicon carbide
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碳化硅三角形截面纳米器件中的量子光子学
DOI：
10.1088/2515-7647/abfdca
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Radulaski, Marina
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Majety, Sridhar;Norman, Victoria A;Li, Liang;Bell, Miranda;Saha, Pranta;Radulaski, Marina
碳化硅正在发展成为实现量子信息处理硬件的重要固态平台。角蚀刻纳米器件正在成为一种解决方案，光子集成在大块基板的颜色中心是最好的定义。我们使用时域有限差分法和时域有限差分本征解方法对三角形截面波导和光子晶体腔进行建模。我们分析了这些器件的模式内的最佳色心定位，并提供了在量子通信中的应用纳米腔中可实现的珀塞尔增强的估计。利用开放量子系统模型，研究了SiC中多个不同色心耦合到单个腔和光子晶体分子的发射极-腔相互作用。我们观察到极化激元和亚辐射态形成的腔保护制度的腔量子电动力学适用于量子模拟。
Silicon carbide is evolving as a prominent solid-state platform for the realization of quantum information processing hardware. Angle-etched nanodevices are emerging as a solution to photonic integration in bulk substrates where color centers are best defined. We model triangular cross-section waveguides and photonic crystal cavities using Finite-Difference Time-Domain and Finite-Difference Eigensolver approaches. We analyze optimal color center positioning within the modes of these devices and provide estimates on achievable Purcell enhancement in nanocavities with applications in quantum communications. Using open quantum system modeling, we explore emitter-cavity interactions of multiple non-identical color centers coupled to both a single cavity and a photonic crystal molecule in SiC. We observe polariton and subradiant state formation in the cavity-protected regime of cavity quantum electrodynamics applicable in quantum simulation.
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影响因子：
12.5
作者：
Christle, David J.;Klimov, Paul V.;Awschalom, David D.
通讯作者：
Awschalom, David D.
DOI：
10.1073/pnas.1704219114
发表时间：
2017-04-18
影响因子：
11.1
作者：
Bracher, David O.;Zhang, Xingyu;Hu, Evelyn L.
通讯作者：
Hu, Evelyn L.
影响因子：
12.5
作者：
Simin, D.;Soltamov, V. A.;Astakhov, G. V.
通讯作者：
Astakhov, G. V.
影响因子：
3.7
作者：
Z. Shang;A. Hashemi;Y. Berencén;H. Komsa;P. Erhart;S. Zhou;M. Helm;A. Krasheninnikov;G. Astakhov
通讯作者：
Z. Shang;A. Hashemi;Y. Berencén;H. Komsa;P. Erhart;S. Zhou;M. Helm;A. Krasheninnikov;G. Astakhov
影响因子：
19.6
作者：
Cai, Jianming;Retzker, Alex;Plenio, Martin B.
通讯作者：
Plenio, Martin B.