Characterization of background carriers in InAs/GaSb quantum well
Characterization of background carriers in InAs/GaSb quantum well
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InAs/GaSb 量子阱中背景载流子的表征
DOI：
10.1063/1.4943188
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发表时间：
2016-03
影响因子：
3.2
通讯作者：
Zhang, Xinhui
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang, Guowei;Xu, Yingqiang;Niu, Zhichuan;Zhang, Xinhui
用传统的霍尔测量方法研究了40 ~ 300 K温度范围内InAs/GaSb量子阱中本底载流子的起源。发现霍尔系数在200 K附近改变了符号，表明量子阱中同时存在电子和空穴。采用双载流子霍尔模型对霍尔数据进行分析，得到了载流子密度随温度的变化关系。结果表明，在低温条件下（lt;40 K），InAs/GaSb量子阱中存在大量的空穴，在实验温度范围内，空穴密度比电子密度高1 ~ 2个数量级。然后讨论了这些低温空穴的起源和载流子密度在整个实验温度范围内的温度依赖行为。
The origin of the background carriers in an undoped InAs/GaSb quantum well (QW) at temperatures between 40 K and 300 K has been investigated using conventional Hall measurements. It is found that the Hall coefficient changes its sign at around 200 K, indicating that both electrons and holes exist in the quantum well. The two-carrier Hall model is thus adopted to analyze the Hall data, which enables the temperature dependence of the carrier density to be obtained. It is found that considerable numbers of holes exist under low temperature conditions (lt;40 K) in the InAs/GaSb QW, and the hole density is one to two orders higher than that of the electrons within the experimental temperature range. The origin of these low temperature holes and the temperature-dependent behavior of the carrier density over the entire experimental temperature range are then discussed.
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影响因子：
3.2
作者：
Jun Shen;J. Dow;S. Ren;S. Tehrani;H. Goronkin
通讯作者：
Jun Shen;J. Dow;S. Ren;S. Tehrani;H. Goronkin
DOI：
10.1088/0022-3727/39/23/015
发表时间：
2006-12
期刊：
Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子：
--
作者：
Z. Zhu;P. Bhattacharya;E. Plis;X. Su;S. Krishna
通讯作者：
Z. Zhu;P. Bhattacharya;E. Plis;X. Su;S. Krishna
影响因子：
4
作者：
S. A. Pour;E. Huang;G. Chen;A. Haddadi;B. Nguyen;M. Razeghi
通讯作者：
S. A. Pour;E. Huang;G. Chen;A. Haddadi;B. Nguyen;M. Razeghi
DOI：
10.1103/physrevb.32.2607
发表时间：
1985-08
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
--
作者：
S. Datta;M. Melloch;R. Gunshor
通讯作者：
S. Datta;M. Melloch;R. Gunshor
影响因子：
8.6
作者：
Yehuda Naveh;B. Laikhtman
通讯作者：
Yehuda Naveh;B. Laikhtman