PROTON-IRRADIATION INDUCED DEFECTS IN Te-DOPED GaSb STUDIED BY PHOTOLUMINESCENCE AND POSITRON ANNIHILATION SPECTROSCOPY
PROTON-IRRADIATION INDUCED DEFECTS IN Te-DOPED GaSb STUDIED BY PHOTOLUMINESCENCE AND POSITRON ANNIHILATION SPECTROSCOPY
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通过光致发光和正电子湮没光谱研究掺碲GaSb中质子辐照引起的缺陷
DOI：
10.1142/s0217984910025024
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发表时间：
2010-10
影响因子：
1.9
通讯作者：
ZHU WANG
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
KAI ZHOU, HUI LI;ZHU WANG
用光致发光（PL）和正电子湮没谱（PAS）研究了质子辐照在掺Te GaSb中产生的缺陷。用能量为2.6MeV、注量分别为1×1014 cm-2和3×1015 cm-2的质子辐照在Te-103晶体中产生缺陷。
Proton-irradiation induced defects in Te-doped GaSb have been studied by photoluminescence (PL) and positron annihilation spectroscopy (PAS). A 2.6 MeV proton irradiation with fluences of 1×1014 cm-2, and 3×1015 cm-2 was used to produce defects in the Te-
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影响因子：
3.2
作者：
A. Bignazzi;A. Bosacchi;R. Magnanini
通讯作者：
A. Bignazzi;A. Bosacchi;R. Magnanini
影响因子：
1.9
作者：
Bett, AW;Sulima, OV
通讯作者：
Sulima, OV
影响因子：
3.7
作者：
S. Dannefaer;W. Puff;D. Kerr
通讯作者：
S. Dannefaer;W. Puff;D. Kerr
DOI：
10.1007/978-3-662-03893-2
发表时间：
1999
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
R. Krause-Rehberg;H. Leipner
通讯作者：
R. Krause-Rehberg;H. Leipner
影响因子：
3.2
作者：
K. Longenbach;S. Xin;W. I. Wang
通讯作者：
K. Longenbach;S. Xin;W. I. Wang