Room temperature mid-infrared InAsSbN multi-quantum well photodiodes grown by MBE
Room temperature mid-infrared InAsSbN multi-quantum well photodiodes grown by MBE
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MBE 生长的室温中红外 InAsSbN 多量子阱光电二极管
DOI：
10.1088/0022-3727/49/43/435107
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Kesaria M
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Kesaria M
用氮等离子体辅助分子束外延技术生长的InAsSbN/InAs多量子阱光电二极管在室温下具有中红外光谱响应。的InAsSbN多量子阱的结构质量被确定原位反射高能电子衍射和异位高分辨率X射线衍射和光致发光测量。扩展的长波长光响应被确定为起源于InAsSbN MQW中的电子-重空穴（e1-hh 1）和电子-轻空穴（e1-lh 1）跃迁，截止波长约为4.20 µm，峰值探测率D*= 1.25× 10 9 cm Hz 1/2 W− 1。
Room temperature photoresponse in the mid-infrared spectral region is demonstrated from InAsSbN/InAs multi-quantum well photodiodes grown by nitrogen plasma assisted molecular beam epitaxy. The structural quality of the InAsSbN MQWs was ascertained in situ by reflection high energy electron diffraction and ex situ by high resolution x-ray diffraction and photoluminescence measurements. The extended long wavelength photoresponse is identified to originate from the electron–heavy hole (e 1–hh 1) and electron–light hole (e 1–lh 1) transitions in the InAsSbN MQW, with a cut off wavelength~ 4.20 µm and peak detectivity D*= 1.25× 10 9 cm Hz 1/2 W− 1.
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