Midinfrared InAsSbN/InAs Multiquantum Well Light-Emitting Diodes
Midinfrared InAsSbN/InAs Multiquantum Well Light-Emitting Diodes
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中红外 InAsSbN/InAs 多量子阱发光二极管
DOI：
10.1155/2011/145012
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发表时间：
2011
影响因子：
--
通讯作者：
Carrington P
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Carrington P
报道了用氮等离子体源分子束外延生长的稀氮化物InAsSbN/InAs多量子阱发光二极管的电致发光。在室温下，二极管在中红外波段有明亮的发射，峰值在3.56μm。发射发生从I型跃迁的电子在InAsSbN的量子阱中的限制重和轻空穴状态。对温度和电流依赖性电致发光的分析表明，热激活空穴泄漏和俄歇复合是这些器件的性能限制因素。
Electroluminescence is reported from dilute nitride InAsSbN/InAs multiquantum well light‐emitting diodes grown using nitrogen plasma source molecular beam epitaxy. The diodes exhibited bright emission in the midinfrared peaking at 3.56μm at room temperature. Emission occurred from a type I transition from electrons in the InAsSbN to confined heavy and light hole states in the QW. Analysis of the temperature‐ and current‐dependent electroluminescence shows that thermally activated hole leakage and Auger recombination are the performance limiting factors in these devices.
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