Identification of strained black phosphorous by Raman spectroscopy
Identification of strained black phosphorous by Raman spectroscopy
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拉曼光谱法鉴定应变黑磷
DOI：
10.1088/1674-4926/38/4/042003
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发表时间：
2017-04
影响因子：
5.1
通讯作者：
Hu Fang Ren
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wan Jia Wei;Guo Jun Hong;Hu Fang Ren
膦具有很高的空穴迁移率，可以作为可调谐的能带结构，已经成为一种理想的电子器件材料。对于这种新型的二维材料，在施加应变的情况下，黑磷(BP)可以从直接带隙半导体材料转变为间接带隙和金属材料，这极大地影响了其固有的物理特性。如何识别应变组织的变化成为一个重要的问题。计算的拉曼光谱表明，Ag2模和B2g模将发生分裂，出现拉曼光谱，而Ag1模向低频区移动。应变引起的形变会有效地改变拉曼模的位置和强度，这可以用来识别磷的变化。
Phosphorene has a very high hole mobility and can be a tuned band structure, and has become an ideal material for electronic devices. For this new type of two-dimensional material, in the applied strain, black phosphorus (BP) can be changed into an indirect band gap and metallic materials from the direct band gap semiconductor material, which greatly affect its inherent physical characteristics. How to identify strained microstructure changes becomes an important problem. The calculated Raman spectra disclose that the A g 2 mode and B 2 g mode will split and the Raman spectra appear, while the A g 1 mode is shifted to low-frequency region. The deformation induced by strain will effectively change the Raman mode position and intensity, this can be used to identify phosphorus changes.
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郭俊宏
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Yang, Li
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Jorge Quereda;P. San-Jose;V. Parente;Luis Vaquero-Garzon;A. Molina‐Mendoza;N. Agraït;G. Rubio‐Bollinger-G.-Rub
通讯作者：
Jorge Quereda;P. San-Jose;V. Parente;Luis Vaquero-Garzon;A. Molina‐Mendoza;N. Agraït;G. Rubio‐Bollinger-G.-Rub
DOI：
10.7717/peerj.6464/supp-2
发表时间：
2018-11
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
Shalini T. Low-Nam;K. Lidke;Patrick J. Cutler;R. Roovers;P. M. P. van Bergen en Henegouwen-P.-M.-P.-van-Bergen-en-Henegouwen-5230523;B. Wilson;D. Lidke
通讯作者：
Shalini T. Low-Nam;K. Lidke;Patrick J. Cutler;R. Roovers;P. M. P. van Bergen en Henegouwen-P.-M.-P.-van-Bergen-en-Henegouwen-5230523;B. Wilson;D. Lidke