Observation of weak antilocalization effect in high-quality ScNiBi single crystal
Observation of weak antilocalization effect in high-quality ScNiBi single crystal
复制标题
高品质ScNiBi单晶微弱反局域效应的观察
DOI：
10.1063/1.4978015
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发表时间：
2017-03
影响因子：
3.2
通讯作者：
Zhang X. X.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Deng L.;Liu Z. H.;Ma X. Q.;Hou Z. P.;Liu E. K.;Xi X. K.;Wang W. H.;Wu G. H.;Zhang X. X.
本文采用铋熔盐法成功地生长了高质量的ScNiBi单晶，并研究了其电输运性质。结果表明，ScNiBi单晶是一种具有正线性磁阻的无隙半导体材料。此外，在50 K以下，低场相关的MR表现出明显的弱反局域化(WAL)效应，极大的预因子α和角度相关的磁导ΔGxx表明WAL效应起源于强体自旋轨道耦合的贡献。
In this paper, we have successfully grown the high-quality ScNiBi single crystals by a Bi flux method and investigated their electronic-transport properties. It was found that the ScNiBi single crystal is a gapless semiconductor with positive linear magnetoresistance (MR). Moreover, the field-dependent MR in the low-field region has demonstrated obvious weak antilocalization (WAL) effect below 50 K. The extremely large prefactor α and angle-dependent magnetoconductance ΔGxx suggest that the WAL effect originates from the contribution of a strong bulk spin-orbital coupling.
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