Low voltage 3V Operation of Ferroelectric MuIti-Layer Stack MFIS Structure Device Formed by Plasma Physical Vapor Deposition and Oxygen Radical Treatment
Low voltage 3V Operation of Ferroelectric MuIti-Layer Stack MFIS Structure Device Formed by Plasma Physical Vapor Deposition and Oxygen Radical Treatment
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等离子体物理气相沉积和氧自由基处理形成的铁电多层堆叠MFIS结构器件的低压3V运行
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ichirou Takahashi;Tadahiro Ohmi;et al.
使用Sr2(Ta,Nb)2O7薄膜的铁电存储FET的特性
影响因子：
1.5
作者：
Y. Fujimori;Takashi Nakamura;A. Kamisawa
通讯作者：
A. Kamisawa
等离子体物理气相沉积和氧自由基处理形成的低介电常数铁电 Sr2(Ta1−x,Nbx)2O7 的 MFIS 结构器件
DOI：
10.1080/10584580490892665
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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作者：
I. Takahashi;H. Sakurai;T. Isogai;Kiyoshi Funaiwa;M. Hirayama;A. Teramoto;S. Sugawa;T. Ohmi
通讯作者：
T. Ohmi
等离子体物理气相沉积和氧自由基处理制备低介电常数铁电体Sr2(Ta1-x, Nbx)2O7
DOI：
10.1143/jjap.42.2050
发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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作者：
I. Takahashi;H. Sakurai;A. Yamada;Kiyoshi Funaiwa;Kentarou Hirai;S. Urabe;T. Goto;M. Hirayama;A. Teramoto;S. Sugawa;T. Ohmi
通讯作者：
T. Ohmi