Challenge of a Multiple-Valued Technology in Recent Deep-Submicron VLSI
Challenge of a Multiple-Valued Technology in Recent Deep-Submicron VLSI
复制标题
近期深亚微米超大规模集成电路中多值技术的挑战
DOI：
--
复制
发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T.Hanyu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
山口類;土屋映子;樋口知之;T.Hanyu
登录
查看更多内容
基于电流模式逻辑的面向算术的多值内存逻辑VLSI
DOI：
10.1109/ismvl.2000.848655
发表时间：
2000
期刊：
Proceedings 30th IEEE International Symposium on Multiple-Valued Logic (ISMVL 2000)
影响因子：
--
作者：
S. Kaeriyama;T. Hanyu;M. Kameyama
通讯作者：
M. Kameyama
DOI：
10.1109/isscc.1997.585247
发表时间：
1997
期刊：
1997 IEEE International Solids-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers
影响因子：
--
作者：
Joseph Borel
通讯作者：
Joseph Borel
一种单晶体管单元多值CAM的设计
影响因子：
5.4
作者：
T. Hanyu;N. Kanagawa;M. Kameyama
通讯作者：
M. Kameyama
传输晶体管开关电路的正式设计程序
影响因子：
5.4
作者：
D. Radhakrishnan;S. Whitaker;G. Maki
通讯作者：
G. Maki
基于双轨差分逻辑的异步自检多值电流模式电路集成
DOI：
10.1109/prdc.2000.897281
发表时间：
2000
期刊：
Proceedings. 2000 Pacific Rim International Symposium on Dependable Computing
影响因子：
--
作者：
T. Hanyu;T. Ike;M. Kameyama
通讯作者：
M. Kameyama