Mg doping in (1-101)GaN grown on a 7° off-axis (001)Si substrate by selective MOVPE
Mg doping in (1-101)GaN grown on a 7° off-axis (001)Si substrate by selective MOVPE
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通过选择性 MOVPE 在 7° 离轴 (001)Si 衬底上生长的 (1-101)GaN 中的镁掺杂
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
N.Sawaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Hikosaka;N.Koide;Y.Honda;M.Yamaguchi;N.Sawaki
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通过选择性 MOVPE 在 7 度偏向 (0 0 1)Si 衬底上生长 ( 1 1 0 1 ) GaN
影响因子：
8.8
作者：
Y. Honda;N. Kameshiro;M. Yamaguchi;N. Sawaki
通讯作者：
N. Sawaki
在 7° 离轴 (001)Si 衬底上生长的 (1-101)GaN 的光学和电学特性
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Appl.Phys.Lett. 84・23
影响因子：
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作者：
K. Hayashi;S. Mizuno;S. Tanaka;H. Toyoda;H. Tochihara;I. Suemune;T.Hikosaka
通讯作者：
T.Hikosaka
M面GaN(1 1̄ 0 0)在γ-LiAlO2(1 0 0)上的生长
DOI：
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发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
--
作者：
P. Waltereit;O. Brandt;M. Ramsteiner;R. Uecker;P. Reiche;K. Ploog
通讯作者：
K. Ploog
Si掺杂对选择性MOVPE在7度偏向(001)Si上生长的(1-101)GaN的影响
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
IOP Conf.Series 184
影响因子：
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作者：
T.Hikosaka;Y.Honda;N.Koide;M.Yamaguchi;N.Sawaki
通讯作者：
N.Sawaki