High-temperature degradation in plasma-enhanced chemical vapor deposition Al2O3 surface passivation layers on crystalline silicon
High-temperature degradation in plasma-enhanced chemical vapor deposition Al2O3 surface passivation layers on crystalline silicon
复制标题
晶体硅上等离子体增强化学气相沉积 Al2O3 表面钝化层的高温降解
DOI：
10.1063/1.4891634
复制
发表时间：
2014
影响因子：
3.2
通讯作者：
F. Colonna
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Kühnhold;F. Colonna
影响因子：
2.3
作者：
S. Miyajima;Junpei Irikawa;A. Yamada;M. Konagai
通讯作者：
S. Miyajima;Junpei Irikawa;A. Yamada;M. Konagai
用电子能量损失谱研究氧化铝对硅表面的钝化
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
B. Hoex;M. Bosman;N. Nandakumar;W. Kessels
通讯作者：
W. Kessels
III-V族化合物半导体天然氧化物的化学键模型
DOI：
--
发表时间：
1981
期刊：
影响因子：
--
作者：
G. Lucovsky
通讯作者：
G. Lucovsky