Ge Diffusion through a Thin HfO2 Film during the Thermal Annealing
Ge Diffusion through a Thin HfO2 Film during the Thermal Annealing
复制标题
热退火期间 Ge 通过 HfO2 薄膜的扩散
DOI：
--
复制
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
安田哲二
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
阿部泰宏;宮田典幸;安田哲二
登录
查看更多内容
Ge 基底上原子层沉积 HfO2 薄膜中嵌入硫的化学态性质，用于界面钝化
DOI：
10.1002/pssr.201510237
发表时间：
2015
期刊：
physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters
影响因子：
--
作者：
D. Cho;T. Seok;H. Jin;Hochul Song;Seungwu Han;T. Park
通讯作者：
T. Park
采用等离子后氧化制造的 HfO2/Al2O3/GeOx/Ge 栅极堆栈的具有 0.7 nm 超薄 EOT 的高迁移率 Ge CMOS 器件
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
J. Kurihara;R. Matsumoto;and T. Uyematsu;R. Zhang
通讯作者：
R. Zhang
GeO2/Ge 结构中 GeO 解吸的 180 同位素示踪
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
S.Wang;K.Kita;T.Nishimura;K.Nagashio;A.Toriumi
通讯作者：
A.Toriumi
(100)Ge 表面的 H2S 暴露：(2×1) 电钝化表面的证据
影响因子：
4
作者：
M. Houssa;D. Nelis;D. Hellin;G. Pourtois;T. Conard;K. Paredis;K. Vanormelingen;A. Vantomme;M. V. Bael;J. Mullens;M. Caymax;M. Meuris;M. Heyns
通讯作者：
M. Heyns
(100)Ge/Ge(Hf)O2 界面的电子特性：第一性原理研究
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Houssa;G. Pourtois;M. Caymax;M. Meuris;M. Heyns
通讯作者：
M. Heyns