Preparation of (100)-oriented CeO2 film on (100) MgO single crystal substrate by laser chemical vapor deposition using solid precursor
Preparation of (100)-oriented CeO2 film on (100) MgO single crystal substrate by laser chemical vapor deposition using solid precursor
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固体前驱体激光化学气相沉积在(100)MgO单晶衬底上制备(100)取向CeO2薄膜
DOI：
10.1016/j.ceramint.2014.07.120
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发表时间：
2014-12
影响因子：
5.2
通讯作者：
Ying Wang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Pei Zhao;Zhi liang Huang;Yang wu Mao;Ying Wang
(100)-oriented CeO2films were prepared on (100) MgO single crystal substrate by laser chemical vapor deposition. A (100)-oriented CeO2film showed a full width at half maximum value of 1.0° of theω-scan on the (200) reflection and that of 2.1° of theϕ-scan on the (220) reflection, respectively. The (100)-oriented CeO2films showed cube-on-cube epitaxial growth and had rectangular grains in surface and columnar grains in cross section. The deposition rate of the (100)-oriented CeO2films were 16–24 μm h−1.
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