Modelling and simulation of low-frequency broadband LNA using InGaAs/InAlAs structures: A new approach
Modelling and simulation of low-frequency broadband LNA using InGaAs/InAlAs structures: A new approach
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使用 InGaAs/InAlAs 结构的低频宽带 LNA 建模和仿真：一种新方法
DOI：
10.1016/j.mssp.2008.07.013
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发表时间：
2008
影响因子：
4.1
通讯作者：
Boudjelida B
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Boudjelida B
新型InGaAs/InAlAs/InP结构的超低漏电特性已被用来制造宽带低噪声放大器(LNA)所需的大栅极外围pHEMT（高达1200μm2）。对器件进行了表征，并提取了线性和非线性模型。然后设计 LNA，并与迄今为止报道的 0.3 至 2GHz 之间的最佳结果进行比较，仍然使用 1μm 栅极长度光学光刻。
The ultra-low leakage properties of a novel InGaAs/InAlAs/InP structure have been used to fabricate large gate periphery pHEMTs (up to 1200μm2) required for wide band low-noise amplifiers (LNA). The devices were characterized and both linear and non-linear models were extracted. LNAs were then designed and compared favourably with the best results reported to date between 0.3 and 2GHz, still using a 1μm gate length optical lithography.
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