Growth of Strain-relaxed Si_<1-y>C_y Films with Compositionally Graded Buffer Layers by Gas Source Molecular Beam Epitaxy
Growth of Strain-relaxed Si_<1-y>C_y Films with Compositionally Graded Buffer Layers by Gas Source Molecular Beam Epitaxy
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气源分子束外延生长具有成分梯度缓冲层的应变松弛Si_<1-y>C_y薄膜
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Makoto Konagai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hanae Ishihara;Masahiko Murano;Akira Yamada;Makoto Konagai
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