Free carrier accumulation at cubic AlGaN/GaN heterojunctions
Free carrier accumulation at cubic AlGaN/GaN heterojunctions
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立方 AlGaN/GaN 异质结处的自由载流子积累
DOI：
10.1063/1.3700968
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发表时间：
2012
影响因子：
4
通讯作者：
D.J. As
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Q.Y. Wei;J.Y. Huang;F.A. Ponce;E. Tschumak;A. Zado;D.J. As
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影响因子：
2.3
作者：
Qiyuan Wei;Zhihao Wu;K. Sun;F. Ponce;J. Hertkorn;F. Scholz
通讯作者：
Qiyuan Wei;Zhihao Wu;K. Sun;F. Ponce;J. Hertkorn;F. Scholz
独立式 3C-SiC 衬底上立方 III 族氮化物的分子束外延
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
作者：
D. As;S. Potthast;J. Schörmann;S.F. Li;K. Lischka;H. Nagasawa;M. Abe
通讯作者：
M. Abe
立方 GaN/AlN 超晶格中的能带偏移
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
C. Mietze;M. Landmann;E. Rauls;H. Machhadani;S. Sakr;M. Tchernycheva;F. Julien;W. Schmidt;K. Lischka;D. As
通讯作者：
D. As
通过高分辨率透射电子显微镜对蓝宝石界面上的硅进行成像
DOI：
--
发表时间：
1981
期刊：
影响因子：
--
作者：
F. Ponce;J. Aranovich
通讯作者：
J. Aranovich
任意晶体取向的GaN基异质结构的面内极化
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
Q. Wei;Ti Li;Z. H. Wu;Fernando Ponce
通讯作者：
Fernando Ponce