The origin of fatigue fracture in single-crystal silicon
The origin of fatigue fracture in single-crystal silicon
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单晶硅疲劳断裂的根源
DOI：
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发表时间：
2022
影响因子：
4.5
通讯作者：
and Shoji Kamiya
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H. Izumi;T. Kita;S. Arai;K. Sasaki;and Shoji Kamiya
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疲劳载荷下单晶硅亚临界缺陷积累的电子成像
DOI：
10.1016/j.sna.2018.06.016
发表时间：
2018
期刊：
Sensors and Actuators A: Physical
影响因子：
--
作者：
S. Kamiya;Akira Kongo;H. Sugiyama;H. Izumi
通讯作者：
H. Izumi
DOI：
10.1007/978-0-387-92897-5_100470
发表时间：
1991
期刊：
--
影响因子：
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作者：
S. Suresh
通讯作者：
S. Suresh
影响因子：
56.9
作者：
CONNALLY, JA;BROWN, SB
通讯作者：
BROWN, SB
微米级多晶硅薄膜的极高周疲劳失效：环境和表面氧化物厚度的影响
DOI：
10.1063/1.2403841
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
D. Alsem;R. Timmerman;B. Boyce;E. Stach;J. Hosson;R. Ritchie
通讯作者：
R. Ritchie
MEMS 材料的可靠性表征
DOI：
10.1541/ieejsmas.125.289
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Tsuchiya
通讯作者：
T. Tsuchiya