An approach for quantum mechanical modeling and simulation for MOS devices. covering the whole operation region
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MOS 器件的量子力学建模和仿真方法。
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Hanajiri
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Nakajima;Y.Nakajima;T.Hanajiri
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