Sputter Depth Profiling of Multiple Short-Period BN d-Doped Si by Work Function Measurement
Sputter Depth Profiling of Multiple Short-Period BN d-Doped Si by Work Function Measurement
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通过功函数测量对多种短周期 BN d 掺杂硅进行溅射深度分析
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Takai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Mizuhara;T.Bungo;T.Nagatomi;Y.Takai
使用多个短周期 Delta 层评估 SIMS 超浅深度剖面中的溅射速率变化
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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作者：
Y. Homma;H. Takenaka;F. Toujou;A. Takano;S. Hayashi;R. Shimizu
通讯作者：
R. Shimizu
影响因子：
1.5
作者：
Yuzuru Mizuhara;J. Kato;T. Nagatomi;Y. Takai;M. Inoue
通讯作者：
M. Inoue
使用倾斜柱面镜分析仪扩展俄歇电子能谱溅射深度剖面的原子混合、表面粗糙度和信息深度模型
影响因子：
1.5
作者：
Takuya Bungo;Yuzuru Mizuhara;T. Nagatomi;Y. Takai
通讯作者：
Y. Takai