Pulse Field Emission Characteristics of Vertical Few-Layer Graphene Cold Cathode
Pulse Field Emission Characteristics of Vertical Few-Layer Graphene Cold Cathode
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立式少层石墨烯冷阴极脉冲场发射特性
DOI：
10.1109/ted.2014.2304452
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发表时间：
2014-02
影响因子：
3.1
通讯作者：
Xu, Ningsheng
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang, Yu;Deng, Deliu;Zhu, Lijun;Deng, Shaozhi;Chen, Jun;Xu, Ningsheng
垂直少层石墨烯是一种优良的场发射材料，具有原子薄的边缘和二维的散热区域。使用脉冲电压驱动操作来实现高场发射电流。由于电流加热效应，脉冲宽度和占空比影响了光纤陀螺的场发射特性。得到了最佳的脉冲参数。在3-μ脉冲工作时，直径为5 mm的薄膜获得的最大电流为32 mA，是连续电流工作时最大电流的10倍。目前的波动率为4.1%。提出了进一步提高发射电流的方法。
Vertical few-layer graphene (FLG) is an excellent field emission material, with an atomically thin edge and a 2-D heat dissipation area. A pulse voltage driving operation was used to achieve a high field emission current. The pulsewidth and duty ratio affected the field emission characteristics of the FLG due to the current heating effect. The optimal pulse parameters were obtained. A maximum current of 32 mA in 3-μs pulsing operation was achieved from a 5-mm diameter FLG film, which was 10 times greater than the maximum current achieved in continuous current operation. The current fluctuation was 4.1%. A method for further increasing the emission current is proposed.
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通讯作者：
Wei Wei-Wei;Yang Liu;Yang Wei;K. Jiang;Lianmao Peng;S. Fan