Effect of annealing on microstructure evolution in CoFeB/MgO/CoFeB heterostructures by positron annihilation
Effect of annealing on microstructure evolution in CoFeB/MgO/CoFeB heterostructures by positron annihilation
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正电子湮灭退火对 CoFeB/MgO/CoFeB 异质结构微观结构演变的影响
DOI：
10.1063/1.4821255
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发表时间：
2013-09
影响因子：
3.2
通讯作者：
于广华
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
于广华
作为研究材料缺陷的最有力的工具之一，正电子湮没谱被用来研究CoFeB/MgO/CoFeB异质结薄膜微结构的热效应。研究发现，较高的退火温度可以促进空位缺陷在氧化镁势垒中的聚集和有序化。同时，另一种重要的缺陷--空位团簇仍然存在于MgO势垒内部，这种缺陷是通过空位缺陷在退火后聚集在MgO势垒中而形成的。所有这些在氧化镁势垒中的行为都可能潜在地影响氧化镁基磁隧道结的整体性能。
As one of the most powerful tools for investigation of defects of materials, positron annihilation spectroscopy was employed to explore the thermal effects on the film microstructure evolution in CoFeB/MgO/CoFeB heterostructures. It is found that high annealing temperature can drive vacancy defects agglomeration and ordering acceleration in the MgO barrier. Meanwhile, another important type of defects, vacancy clusters, which are formed via the agglomeration of vacancy defects in the MgO barrier after annealing, still exists inside the MgO barrier. All these behaviors in the MgO barrier could potentially impact the overall performance in MgO based magnetic tunnel junctions.
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影响因子：
3.2
作者：
Yuan Lu;B. Lépine;G. Jézéquel;S. Ababou;M. Alnot;J. Lambert;A. Renard;M. Mullet;C. Deranlot
通讯作者：
Yuan Lu;B. Lépine;G. Jézéquel;S. Ababou;M. Alnot;J. Lambert;A. Renard;M. Mullet;C. Deranlot
DOI：
10.1063/1.2643027
发表时间：
2007-02
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
J. Velev;K. Belashchenko;S. Jaswal;E. Tsymbal
通讯作者：
J. Velev;K. Belashchenko;S. Jaswal;E. Tsymbal
影响因子：
8.6
作者：
Youqi Ke;K. Xia;Hong Guo
通讯作者：
Youqi Ke;K. Xia;Hong Guo
影响因子：
4
作者：
S. Mukherjee;D. MacMahon;F. Bai;Chih-Ling Lee;S. Kurinec
通讯作者：
S. Mukherjee;D. MacMahon;F. Bai;Chih-Ling Lee;S. Kurinec
影响因子：
44.1
作者：
R. A. Ferrell
通讯作者：
R. A. Ferrell