T.Muranaka: "Size-Controlled Formation of Decananometer InGaAs Quantum Wires by Selective Molecular Beam Epitaxy on InP Patterned Substrates"Jpn.J.Appl.Phys.. 38. 1071 (1999)
T.Muranaka: "Size-Controlled Formation of Decananometer InGaAs Quantum Wires by Selective Molecular Beam Epitaxy on InP Patterned Substrates"Jpn.J.Appl.Phys.. 38. 1071 (1999)
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T.Muranaka：“通过在 InP 图案化衬底上选择性分子束外延来控制十纳米级 InGaAs 量子线的尺寸控制形成”Jpn.J.Appl.Phys.. 38. 1071 (1999)
DOI：
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期刊：
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通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Fujikura：“通过选择性分子束外延控制窄且均匀的 InP 基 In0.53Ga0.47As 脊量子线阵列的形成”Jpn.J.Appl.Phys.. 37. 1584 (1998)
DOI：
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发表时间：
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期刊：
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作者：
通讯作者：
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InP 衬底上分子束外延生长的门控 InGaAs 脊量子线中高达 50 K 的库仑阻塞型电导振荡的观察
影响因子：
1.5
作者：
H. Okada;H. Fujikura;T. Hashizume;H. Hasegawa
通讯作者：
H. Hasegawa
一种新型绕栅控制单电子晶体管，在选择性 MBE 生长的 InGaAs 脊量子线上形成
影响因子：
1.7
作者：
H. Okada;H. Fujikura;T. Hashizume;H. Hasegawa
通讯作者：
H. Hasegawa