H.Fujikura: "Controlled Formation of Narrow and Uniform InP-Based In0.53Ga0.47As Ridge Quantum Wire Arrays by Selective Molecular Beam Epitaxy"Jpn.J.Appl.Phys.. 37. 1584 (1998)
H.Fujikura: "Controlled Formation of Narrow and Uniform InP-Based In0.53Ga0.47As Ridge Quantum Wire Arrays by Selective Molecular Beam Epitaxy"Jpn.J.Appl.Phys.. 37. 1584 (1998)
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H.Fujikura：“通过选择性分子束外延控制窄且均匀的 InP 基 In0.53Ga0.47As 脊量子线阵列的形成”Jpn.J.Appl.Phys.. 37. 1584 (1998)
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H.Fujikura：“通过选择性分子束外延形成的 InP 基 InGaAs 脊量子线的光学性质的光致发光和阴极发光研究”Jpn.J.Appl.Phys.. 35. 1333 (1996)
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波纹 InP 衬底上择优分子束外延生长 InGaAs 线
影响因子：
1.5
作者：
H. Fujikura;T. Iwa;H. Hasegawa
通讯作者：
H. Hasegawa
通过选择性分子束外延在 InP 图案化衬底上直接形成 InGaAs 耦合量子线-点结构
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1.7
作者：
Y. Hanada;N. Ono;H. Fujikura;H. Hasegawa
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H. Hasegawa
S.Kasai：“基于肖特基面内栅极对二维电子气的电位调制的新型 GaAs 量子纳米结构的电子束感应电流表征”Jpn.J.Appl.Phys.. 35. 6652 (1996)
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M.Araki：“在各种台面图案 (001) InP 衬底上通过选择性分子束外延生长制造 InGaAs 量子线和点”Jpn.J.Appl.Phys.. 36. 1763 (1997)
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