T.Yodo: "Model of Crystal Lattice Strained Along the Preferential Direction by Anisotropic Stress for GaAs Heteroepitaxial Films grown on Vicinal Si(001) and Si(110) Substrates by Molecular-Beam Epitaxy"J.Vac.Sci.Technol. A19・1. 287-291 (2001)
T.Yodo: "Model of Crystal Lattice Strained Along the Preferential Direction by Anisotropic Stress for GaAs Heteroepitaxial Films grown on Vicinal Si(001) and Si(110) Substrates by Molecular-Beam Epitaxy"J.Vac.Sci.Technol. A19・1. 287-291 (2001)
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T.Yodo：“通过分子束外延在邻位 Si(001) 和 Si(110) 基板上生长的 GaAs 异质外延膜沿各向异性应力沿优先方向应变的晶格模型”J.Vac.Sci.Technol。 1. 287-291 (2001)
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通过 MBE 在 4°-Off (100)Si 上生长的 GaAs 层中的残余应力
DOI：
10.1557/proc-91-63
发表时间：
1987
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Yao;Y. Okada;H. Kawanami;S. Matsui;A. Imagawa;K. Ishida
通讯作者：
K. Ishida
分子束外延低温硅基GaAs外延层失配位错行为
DOI：
10.1143/jjap.32.637
发表时间：
1993
期刊：
影响因子：
--
作者：
K. Asai;Hisashi Katahama Hisashi Katahama;Yasunari Shiba Yasunari Shiba
通讯作者：
Yasunari Shiba Yasunari Shiba
确定 Si 上分子束外延 GaAs 的深度热应变分布
DOI：
10.1007/bf00324262
发表时间：
1991
期刊：
Applied Physics A
影响因子：
--
作者：
Y. González;A. Mazuelas;M. Recio;L. González;G. Armelles;F. Briones
通讯作者：
F. Briones
Si 上 GaAs 外延薄膜的拉曼研究
影响因子：
6.7
作者：
Y. Matsuda;K. Fujita;S. Hinotani
通讯作者：
S. Hinotani
GaAs/Si 异质结构中的应变消除机制和位错性质
DOI：
10.1063/1.344270
发表时间：
1989
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Sharan;J. Narayan
通讯作者：
J. Narayan