Porous AlGaN-Based Ultraviolet Distributed Bragg Reflectors.
Porous AlGaN-Based Ultraviolet Distributed Bragg Reflectors.
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DOI：
10.3390/ma11091487
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发表时间：
2018-08-21
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Oliver R
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Griffin P;Zhu T;Oliver R
利用氮化镓中与位错相关的垂直刻蚀通道，我们之前已经展示了一种简单的电化学刻蚀(ECA)工艺，该工艺可以创建层状多孔GaN结构，从而形成晶片规模的可见光分布式布拉格反射器。在这里，我们应用相同的欧洲经委会工艺来实现基于AlGaN的紫外布喇格反射器(DBR)。这是很有意义的，因为它们可以提供一条通往非吸收紫外线反射器的途径，以提高目前效率极低的紫外线LED的性能。我们已经展示了基于AlGaN的多孔性紫外DBRS，在324 nm处的峰值反射率为89%。目前这些器件的均匀性很低，因为生长的材料具有高密度的V型凹坑，这改变了刻蚀工艺。然而，我们的结果表明，如果材料生长得到优化，欧洲经委会工艺将有助于紫外光反射器的制造。
Utilising dislocation-related vertical etching channels in gallium nitride, we have previously demonstrated a simple electrochemical etching (ECE) process that can create layered porous GaN structures to form distributed Bragg reflectors for visible light at wafer scale. Here, we apply the same ECE process to realise AlGaN-based ultraviolet distributed Bragg reflectors (DBRs). These are of interest because they could provide a pathway to non-absorbing UV reflectors to enhance the performance of UV LEDs, which currently have extremely low efficiency. We have demonstrated porous AlGaN-based UV DBRs with a peak reflectance of 89% at 324 nm. The uniformity of these devices is currently low, as the as-grown material has a high density of V-pits and these alter the etching process. However, our results indicate that if the material growth is optimised, the ECE process will be useful for the fabrication of UV reflectors.
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影响因子：
4.6
作者：
Zhu T;Liu Y;Ding T;Fu WY;Jarman J;Ren CX;Kumar RV;Oliver RA
通讯作者：
Oliver RA
影响因子：
4
作者：
Detchprohm, Theeradetch;Liu, Yuh-Shiuan;Dupuis, Russell D.
通讯作者：
Dupuis, Russell D.
影响因子：
4
作者：
Kawanishi, Hideo;Senuma, Masanori;Nukui, Takeaki
通讯作者：
Nukui, Takeaki
影响因子：
1.8
作者：
Li, X.;Le Gac, G.;Ougazzaden, A.
通讯作者：
Ougazzaden, A.
影响因子：
4.6
作者：
Fan FH;Syu ZY;Wu CJ;Yang ZJ;Huang BS;Wang GJ;Lin YS;Chen H;Hauer Kao C;Lin CF
通讯作者：
Lin CF