Twist angle-dependent conductivities across MoS(2)/graphene heterojunctions.
Twist angle-dependent conductivities across MoS(2)/graphene heterojunctions.
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MoS2/石墨烯异质结的扭转角度依赖性电导率
DOI：
10.1038/s41467-018-06555-w
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发表时间：
2018-10-04
影响因子：
16.6
通讯作者：
Zhang G
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Liao M;Wu ZW;Du L;Zhang T;Wei Z;Zhu J;Yu H;Tang J;Gu L;Xing Y;Yang R;Shi D;Yao Y;Zhang G
由不同二维材料堆叠而成的范德华异质结构为解决许多基础物理和先进设备的构建提供了一个独特的平台。两个单独层之间的扭转角在调整异质结构特性方面起着至关重要的作用。在这里，我们报告了 MoS2/石墨烯范德华异质结中扭转角相关电导率的实验研究。我们发现，在不同的扭转配置下，异质结的垂直电导率可以调节〜5倍，并且最高/最低电导率出现在0°/30°的扭转角处。密度泛函理论模拟表明，这种电导率变化源于不同扭转角异质结中传输系数的差异。我们的工作为电子产品中使用 MoS2/石墨烯异质结提供了指导，特别是在降低 MoS2 器件以及石墨烯接触的其他 TMDC 器件中的接触电阻方面。扭转垂直堆叠的二维材料的各个层可以触发令人兴奋的基础物理和先进的电子设备应用。在这里，作者报告了旋转 MoS2 比石墨烯垂直异质结电导率增强了五倍。
Van der Waals heterostructures stacked from different two-dimensional materials offer a unique platform for addressing many fundamental physics and construction of advanced devices. Twist angle between the two individual layers plays a crucial role in tuning the heterostructure properties. Here we report the experimental investigation of the twist angle-dependent conductivities in MoS2/graphene van der Waals heterojunctions. We found that the vertical conductivity of the heterojunction can be tuned by ∼5 times under different twist configurations, and the highest/lowest conductivity occurs at a twist angle of 0°/30°. Density functional theory simulations suggest that this conductivity change originates from the transmission coefficient difference in the heterojunctions with different twist angles. Our work provides a guidance in using the MoS2/graphene heterojunction for electronics, especially on reducing the contact resistance in MoS2 devices as well as other TMDCs devices contacted by graphene. Twisting vertically stacked individual layers of two-dimensional materials can trigger exciting fundamental physics and advanced electronic device applications. Here, the authors report five times enhancement in vertical heterojunction conductivity on rotating MoS2 over graphene.
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影响因子：
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Massicotte, M.;Schmidt, P.;Koppens, F. H. L.
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作者：
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Chari, Tarun;Ribeiro-Palau, Rebeca;Shepard, Kenneth
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通过层间扭转角调节MoS2/石墨烯异质结构的PL和电子结构
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Myoung, Nojoon;Seo, Kyungchul;Ihm, G.
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